Güterverzeichnis für Produktionsstatistiken, Ausgabe 2026
Klassifikationsstruktur
Klassifikationsstruktur überspringen2611 21 510 Transistoren mit einer Verlustleistung < 1 W (ausgenommen lichtempfindliche Transistoren)
Detailinformationen
Maßeinheit
St
Gegenüberstellung
wz2008 ⇄ gp_2026
wz2008 - gp_2026
| wz2008 | Inhalt | gp_2026 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Typ | Schlüssel | Titel | Typ | Schlüssel | Titel | |
| 26.11.9 | Herstellung von sonstigen elektronischen Bauelementen | Herstellung von sonstigen elektronischen Bauelementen | 2611 21 510 | Transistoren mit einer Verlustleistung < 1 W (ausgenommen lichtempfindliche Transistoren) | ||
gp_2026 ⇄ gp2019a
gp_2026 - gp2019a
| gp_2026 | Inhalt | gp2019a | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Typ | Schlüssel | Titel | Typ | Schlüssel | Titel | |
| 2611 21 510 | Transistoren mit einer Verlustleistung < 1 W (ausgenommen lichtempfindliche Transistoren) | Transistoren mit einer Verlustleistung < 1 W (ausgenommen lichtempfindliche Transistoren) | 2611 21 500 | Transistoren, andere Fototransistoren | ||
Stichwörter
- Field Effekt Transistor Silicon N-Chanel MOS-Type
- HEMT, High-Electron-Mobility-Transistoren, Transistoren mit hoher Beweglichkeit
- High-Electron-Mobility-Transistoren, HEMT, Transistoren mit Elektronen hoher Beweglichkeit
- IGBT-Module, Isolierschicht-Bipolar-Transistoren, Leistungsmodule
- Isolierschicht-Bipolar-Transistoren, IGBT-Module
- Kleinsignaltransistoren
- Leistungsmodule, IGBT-Module, Isolierschicht Bipolar-Transistoren
- Leistungstransistoren, Halbleiterbauelemente
- Mikrowellentransistoren
- Transistoren mit Elektronen hoher Beweglichkeit, sog. High-Electron-Mobility-Transistoren, HEMT
- Transistoren, ohne Fototransistoren
Ebene
Ebene 7: Güterunterkategorie_B
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