Güterverzeichnis für Produktionsstatistiken, Ausgabe 2002
Klassifikationsstruktur
Klassifikationsstruktur überspringen3210 51 570 mit einer Verlustleistung von 1 W oder mehr
Detailinformationen
Hauptgruppe: A (Vorleistungsgüterproduzenten)
Maßeinheit
St
Gegenüberstellung
gp2009v2012 ⇄ gp2002
gp2009v2012 - gp2002
| gp2009v2012 | Inhalt | gp2002 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Typ | Schlüssel | Titel | Typ | Schlüssel | Titel | |
| ex | 2611 21 500 | Transistoren, andere Fototransistoren | 3210 51 570 | mit einer Verlustleistung von 1 W oder mehr | ||
gp2009 ⇄ gp2002
gp2009 - gp2002
| gp2009 | Inhalt | gp2002 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Typ | Schlüssel | Titel | Typ | Schlüssel | Titel | |
| ex | 2611 21 500 | Transistoren, andere Fototransistoren | 3210 51 570 | mit einer Verlustleistung von 1 W oder mehr | ||
gp2002 ⇄ wz2003
gp2002 - wz2003
| gp2002 | Inhalt | wz2003 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Typ | Schlüssel | Titel | Typ | Schlüssel | Titel | |
| 3210 51 570 | mit einer Verlustleistung von 1 W oder mehr | ex | 32.10.0 | Herstellung von elektronischen Bauelementen | ||
Stichwörter
- Field Effekt Transistor Silicon N-Chanel MOS-Type
- IGBT-Module, Isolierschicht-Bipolar-Transistoren, Leistungsmodule
- Isolierschicht-Bipolar-Transistoren, IGBT-Module
- Leistungsmodule, IGBT-Module, Isolierschicht Bipolar-Transistoren
Langtitel
Transistoren (ohne Fototransistoren), mit einer Verlustleistung von 1 W oder mehr
Ebene
Ebene 8: Güterart
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